硅(Si)在电路功能、复杂集成度、成熟度和良品率、以及成本方面一直是半导体技术中的主导材料。而且近年来集成硅(CMOS和BiCMOS)射频技术已经在功率上取得巨大的进步，同时也将频率扩展到了100GHz左右。然而仍然还有众多应用只能使用像磷化铟(InP)和氮化镓(GaN)这样的化合物半导体技术才能实现。磷化铟能提供最大频率为1太赫兹的晶体管，具备高增益和高功率，以及超高速混合信号电路。而氮化镓能使器件具备大带宽、高击穿电压、以及高达100GHZ的输出功率。因此将异类半导体集成为一体——即异构集成(hetero­geneous integration或heterointegration)。